原子層沉積 （ Atomic layer deposition, ALD ）是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器，化學(xué)吸附在沉積襯底上 并反應(yīng) 形成沉積膜的一種方法，是一種可以將物質(zhì)以單原子 膜形式 逐層的鍍在襯底表面的方法。因此，它是一種真正的“納米”技術(shù)，以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米級的超薄薄膜沉積。由于 ALD 利用的是飽和化學(xué)吸附的特性，因此可以確保對大面積、多空、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積。

   美國 ARRADIANCE 公司的 GEMStar XT 系列臺式 ALD 系統(tǒng)，在小巧的機(jī)身（ 78 x56 x28 cm ）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納 9 片 8 英寸基片同時(shí)沉積。 GEMStar XT 全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)， 使溫度均勻性高達(dá) 99.9% ，氣流對溫度影響減少到 0.03% 以下。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在 8 英寸基體上膜厚的不均勻性小于 1% ，而且更適合對超高長徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等 3D 結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋，可實(shí)現(xiàn)對高達(dá) 1500 ： 1 長徑 比微納 深孔內(nèi)部的均勻沉積。

GEMStar XT 產(chǎn)品特點(diǎn)：

* 300 ℃ 鋁合金熱壁，對流式溫度控制

* 175 ℃溫控 150ml 前驅(qū)體瓶， 200 ℃溫控輸運(yùn)支管

* 可容納多片 4 ， 6 ， 8 英寸樣品同時(shí)沉積

* 可容納 1.25 英寸 /32mm 厚度的基體

* 標(biāo)準(zhǔn) CF-40 接口

* 可安裝原位測量或粉末沉積模塊等選件

* 等離子體輔助 ALD 插件

* 多種配件可供選擇

GEMStar XT 產(chǎn)品型號：

GEMStar XT-S ：

* 最大8 英寸 /200 mm 基片沉積（4'和6' 可選）

* 單路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 4 路前驅(qū)體瓶接口

* 可升級為等離子體增強(qiáng) ALD

GEMStar XT-D ：

* 最大 8 英寸 (200mm) 基片沉積（4'和6' 可選）

* 雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 8 路前驅(qū)體瓶和 CF-40 接口

* 可升級為等離子體增強(qiáng) ALD

GEMStar XT-P ：

* 最大 8 英寸 /200mm 基片沉積（4'和6 '可選）

* 雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 8 路前驅(qū)體瓶和 CF-40 接口

* 裝備高性能 ICP 等離子發(fā)生器

  13.56 MHz 的等離子 源非常 緊湊，只需風(fēng)冷，最高運(yùn)行功率達(dá) 300W 。

* 標(biāo)配3組氣流質(zhì)量控制計(jì)（ MFC ）控制的等離子氣源線，和一條 MFC 控制的 運(yùn)載氣體線，使難以沉積的氧化物、氮化物、金屬也可以實(shí)現(xiàn)均勻沉積。

  新產(chǎn)品發(fā)布：

* 最大1 00 mm 立方體樣品 沉積（4'和6' 可選）

* 單路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 2路前驅(qū)體瓶接口

* 主要用于3D多孔材料，以及厚樣品的沉積

豐富配件：

多樣品托盤：

* 多樣品夾具，樣品尺寸（ 8", 6", 4" ）向下兼容。

* 多基片夾具，最多同時(shí)容納 9 片基片。

溫控?zé)?/span> 托盤：

* 可加熱樣品托盤，最高溫度 500 ℃，可實(shí)現(xiàn)熱盤 - 熱壁復(fù)合 加熱方式。

尾氣處理系統(tǒng)：

臭氧發(fā)生器：

粉末旋轉(zhuǎn)沉積罐模塊：

配合熱壁加熱 方式，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn) 對微納粉末 樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。

手套箱接口：

可從側(cè)面或背面完美接入手套箱，與從底部接入手套箱不同，不占用手套箱空間。由于主機(jī)在手套箱側(cè)面，反應(yīng)過程中不對手套箱有加熱效應(yīng)，不影響手套箱內(nèi)溫度。

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