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微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)-MPCVD
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微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) -MPCVD
-----寶石級(jí)大尺寸單晶金剛石制備系統(tǒng)微波等離子化學(xué)氣相沉積技術(shù)(MPCVD), 通過等離子增加前驅(qū)體的反應(yīng)速率,降低反應(yīng)溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結(jié)晶形態(tài)好的高質(zhì)量硬質(zhì)薄膜和晶體。
MPCVD 是世界公認(rèn)的制備大尺寸單晶金剛石有效手段之一。德國(guó) iplas 公司專利的 CYRANNUS ® 等離子技術(shù)解決了傳統(tǒng)等離子技術(shù)的局限,可以在 10mbar 到室壓范圍內(nèi)激發(fā)高穩(wěn)定度的等離子團(tuán),最大限度的減少了因氣流、氣壓、氣體成分、電壓等因素波動(dòng)引起的等離子體狀態(tài)的變化,從而確保單晶生長(zhǎng)的持續(xù)性,為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。iplas CYRANNUS ® 系列 產(chǎn)品特點(diǎn):1. CYRANNUS ® 技術(shù)無(wú)需在樣品腔內(nèi)安裝內(nèi)部電極,在沉積腔內(nèi),沒有工作氣體以外的任何物質(zhì),潔凈,無(wú)污染源。等離子發(fā)生器可以保持長(zhǎng)壽命,并可以確保腔內(nèi)的等離子體的均勻分布,進(jìn)一步生成晶體的純凈度和生長(zhǎng)周期。
2. CYRANNUS ® 技術(shù)的腔外多電極設(shè)置,確保等離子團(tuán)穩(wěn)定生成于腔內(nèi)中心位置,對(duì)腔壁、窗口等無(wú)侵蝕作用,減少雜質(zhì)來源,提高晶體純度。由 CYRANNUS ® 系統(tǒng)合成的金剛石,純度均在VVS級(jí)別以上。
3. 電子溫度和離子溫度對(duì)中性氣體溫度之比非常高,運(yùn)載氣體保持合適的溫度,因此可使基底的溫度不會(huì)過高。
4. 微波發(fā)生器穩(wěn)定易控,能在從10mbar到室壓的高壓強(qiáng)環(huán)境下維持等離 體,在氣流、氣壓、氣體成分、電壓出現(xiàn)波動(dòng)時(shí),確保等離子體狀態(tài)的穩(wěn)定,保證單晶生長(zhǎng)的過程不被上述干擾而中斷,有利于獲得大尺寸單晶金剛石。
5. 可以采用磁約束的方法,約束在等離子團(tuán)在約定的空間內(nèi),微波結(jié)和磁路可以兼容。
6. 安全因素高。高壓源和等離子體發(fā)生器互相隔離,微波泄漏小,容易達(dá)到輻射安全標(biāo)準(zhǔn)。
化學(xué)機(jī)理概要:
碳?xì)浠衔铮禾峁┏练e材料
氫氣:生成sp 3鍵
氧:對(duì)石墨相/sp 2鍵侵蝕
惰性氣體:緩沖氣體,或生成納米晶體。
適用合成材料:
大尺寸寶石級(jí)單晶鉆石
高取向度金剛石晶體
納米結(jié)晶金剛石
碳納米管/類金剛石碳(DLC)
金剛石薄膜
寶石級(jí)鉆石vvs1,~1 carrat, E grade
多種等離子發(fā)生器選擇:頻率:2.45GHz, 915MHz:功率:1-2kW, 1-3kW, 3-6kW,1-6kW,5-30kW等離子團(tuán)直徑:70mm, 145mm, 250mm, 400mm工作其他范圍:0-1000mBar其他應(yīng)用:MPCVD同樣適用于平面基體,或曲面顆粒的其它硬質(zhì)材料如Al 2O3,c-BN的薄膜沉積和晶體合成。德國(guó) iplas 公司憑借幾十年在等離子技術(shù)領(lǐng)域的積累,可以為用戶提供高度定制的設(shè)備,滿足用戶不同的應(yīng)用需要。